2012年10月31日
第2回パワーデバイスセミナーを開催いたします。
詳細は、添付資料によりご確認ください。
多くの方のご参加をお待ちしています。
・日時:11月19日(月) 14:00-16:30
・場所:産業科学技術センター
・講師
独立行政法人 産業技術総合研究所
先進パワーエレクトロニクス研究センター
研究チーム長 岩室 憲幸 氏
・講演
「次世代パワーデバイス（Si,SiCデバイス)の
最新技術動向と品質向上への取り組み」
パワー半導体の将来を考える上での重要な課題は、
シリコンデバイスからシリコンカーバイド（ＳｉＣ）
に代表されるワイドバンドギャップ化合物半導体にいつに
なったら移行するかというところにある。
シリコンパワーデバイスはスーパージャンクション型
ＭＯＳＦＥＴやトレンチＦＳ型ＩＧＢＴの誕生により、
特性限界に近づきつつあると言われ、いよいよワイドバンド
ギャップパワー半導体の登場も現実味を帯びてきた。
最近のＳｉＣデバイスの発表データを見ると、オン抵抗に
代表される低損失特性は目を見張るものの、長期信頼性に
関してはＳｉＣデバイス特有の課題に未だ解決の余地がある
ようである。ＳｉＣデバイスの品質向上に関する取り組み、
課題はなにがあるのか？ など興味あるテーマを議論したい。
「パワーデバイスの製造プロセスとモジュール化、特に、
後工程のプロセスと装置、パワーデバイスの品質・信頼性
について」の内容を含む。
添付資料１(Word)
